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徐飘荣讲师
 发表时间:2025-04-09 11:22:27 点击次数:00

  

基本信息 

职称:讲师   

邮箱:t20162325@csuft.edu.cn   

地址:湖南省长沙市韶山南路498号中南林业科技大学计算机与信息工程学院(求是楼501室) 

  

个人简介:  

徐飘荣,女,博士,讲师,硕士生导师,。 

 

学习经历:   

20099月—20126月,湘潭大学物理与光电工程学院,微电子学与固体电子学,硕士;   

20139月—20166月,华南理工大学电子信息工程学院,微电子学与固体电子学,博士。 

 

任职情况:  

20167-至今,中南林业科技大学计算机与信息工程学院,讲师。  

 

主要研究方向:  

薄膜晶体管,半导体光电器件,人工智能仿生器件。 

 

科研情况:  

以第一或通讯作者发表SCI期刊论文多篇。主持湖南省教育厅优秀青年项目、校青年项目等。 

 

代表性学术成果:  

[1] Piao-Rong Xu, Ruo-He Yao, Threshold-voltage shift model based on electron tunneling under positive gate bias stress for amorphous InGaZnO thin-film transistors, Displays, 2018, 53(1): 14-17 

[2] Min-Xi Cai, Piao-Rong Xu, Bei Liu, Zi-Qi Peng, Jian-Hua Cai, Jing Cao, A threshold voltage model for AOS TFTs considering a wide range of tail-state density and degeneration, Electronics, 2022, 11(19): 3137 

[3] Xiang-Jie Xiao, Piao-Rong Xu, Gen-Hua Liu, Hui-Ying Zhou, Jian-Jun Li, Ai-Bin Chen, Yong-Zhong Zhang, Hong-Xu Huang, A numerical model of electrical characteristics for the monolayer graphene field effect transistors, The European Physical Journal Applied Physics, 2019, 86(3): 30101  

[4] 徐飘荣,强蕾,姚若河,一种非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法, 物理学报, 2015, 64(13): 137101 

[5] Piao-Rong Xu, Ruo-He Yao, A model for threshold voltage shift under negative gate bias stress in amorphous InGaZnO thin film transistors, The European Physical Journal Applied Physics, 2015, 72(3): 30102 

[6] Na Wei, Piao-Rong Xu, Ye Yao, Jian-Bo Li, E-Xian Liu, Jian-Hua Luo, Bragg grating sensor for refractive index based on a D-shaped circular photonic crystal fiber, Journal of the Optical Society of America A, 2022, 39(5): 800. 

  

  

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